Tecnologia

YMTC processa Micron por violação de patentes de 3D NAND

A campeã chinesa de 3D NAND, YMTC, entrou com um processo contra a Micron no Distrito Norte da Califórnia (via Blocks & Files) acusando a empresa americana de infringir 11 de suas patentes que cobrem vários aspectos da operação de 3D NAND. A Yangtze Memory pede ao tribunal que ordene a Micron a parar de vender a memória da Micron nos EUA enquanto concede a ela taxas de royalties.

A YMTC afirma que a memória 3D NAND da Micron com 96 camadas (B27A), 128 camadas (B37R), 176 camadas (B47R) e 232 camadas (B58R), bem como alguns dos produtos DDR5 SDRAM da Micron (série Y2BM), infringem 11 de suas patentes ou pedidos de patentes registrados nos EUA. A lista de pedidos de patentes reunida por @lithos_graphein indica que eles cobrem aspectos gerais da funcionalidade de 3D NAND e DRAM, o que pode essencialmente significar que a YMTC está tentando dificultar a vida da Micron para ganhar uma vantagem contra o governo dos EUA.

O Departamento de Comércio dos EUA colocou a YMTC na lista negra no final de 2022, o que dificultou consideravelmente a obtenção de equipamentos avançados de fabricação de empresas americanas para construir seus dispositivos líderes de mercado em 3D NAND. No ano passado, a empresa enfrentou problemas ainda maiores quando o DoC proibiu a venda de ferramentas e tecnologias de fabricação que poderiam ser usadas para construir 3D NAND com mais de 128 camadas ativas, o que foi outro golpe para a empresa.

Mas a Yangtze Memory conseguiu persuadir o Escritório de Revisão de Cibersegurança da China a proibir o uso da memória da Micron em PCs usados por agências governamentais e governos locais.

Apesar das severas restrições impostas pelo governo dos EUA, a YMTC continuou a evoluir sua memória 3D NAND. A memória flash Xtacking 3.0 da empresa está em produção em massa (e alguns desses dispositivos não infringem as sanções dos EUA) e agora a empresa está trabalhando em 3D NAND com sua arquitetura Xtacking 4.0. Além disso, no início deste ano, a empresa disse que conseguiu melhorar dramaticamente a resistência do 3D QLC NAND para um nível de 3D TLC NAND (para 4.000 ciclos de programação/apagamento), o que melhora significativamente as características dos SSDs baratos.

Curiosamente, a empresa americana Patriot Memory está preparando um SSD PCIe Gen5 x4 de alto desempenho com uma velocidade de leitura de até 14 GB/s baseado em um controlador da Maxiotek (uma empresa chinesa que evoluiu da JMicron) e memória 3D NAND da YMTC.

Fonte: Tom’s Hardware

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