A Intel aparentemente quer que sua próxima geração de CPUs para desktop seja o mais capaz possível, e uma maneira de fazer isso é suportar a memória mais rápida disponível. Segundo o conhecido vazador MebiuW, a empresa está trabalhando para que a plataforma codinome Arrow Lake-S suporte módulos de memória CUDIMM (Clock-Unbuffered Dual In-line Memory Modules) ultra-high-end, incluindo aqueles que suportam uma taxa de transferência de dados DDR5-10000.
Já sabíamos que o próximo processador da Intel pode suportar CUDIMMs DDR5-9600 com um perfil XMP 3.0 especialmente projetado, uma velocidade de I/O de 4800 MT/s e uma frequência do controlador de memória de 2.400 MHz. MebiuW afirma que o futuro processador Arrow Lake-S também pode lidar com taxas de transferência de dados de até DDR5-10000, presumivelmente no modo Gear 2. É importante lembrar que esta é uma informação não oficial e pode conter imprecisões.
Alguns módulos CUDIMM DDR5-10000 operando em modo dual-channel oferecerão uma largura de banda de memória de pico de 160 GB/s, o que é bastante significativo. Em contraste, dois módulos DDR5-9600 fornecem uma largura de banda DRAM de pico de 96 GB/s.
Quando encontramos módulos de memória CUDIMM no início deste ano na Computex e descobrimos que a plataforma desktop Ryzen 9000 da AMD não os suporta precisamente, suspeitamos que esses módulos estavam direcionados para “uma plataforma de próxima geração”, o que implicava na Arrow Lake-S da Intel.
Até agora, Asgard, Biwin e V-Color anunciaram módulos de memória CUDIMM para desktops. Fornecedores renomados de memórias de alta velocidade, como G.Skill, também os demonstraram. Nenhuma dessas empresas confirmou formalmente que estavam trabalhando com a plataforma LGA-1851 da Intel, mas os perfis XMP nesses módulos (que, por definição, são otimizados para CPUs Intel) implicam nos próximos CPUs Arrow Lake-S.
Embora os CUDIMMs com seu driver de clock permitam altas taxas de transferência de dados, deve-se notar que suas voltagens entre 1.45V e 1.5V para velocidades além de DDR5-9000 são 32% – 36% maiores do que as padronizadas para dispositivos de memória DDR5. Enquanto os ICs DRAM podem facilmente lidar com voltagens 10% – 15% maiores do que as padronizadas, um aumento de 30% representa um risco significativo de danificar esses chips. Além disso, com um aumento substancial na voltagem da memória, um chip CKD e um IC de gerenciamento de energia (PMIC) com circuitos de fornecimento de energia integrados, esses futuros CUDIMMs prometem esquentar e provavelmente exigirão resfriamento adequado.
Fonte: Tom’s Hardware