A SK hynix começou a produção em massa de seus stacks de memória 12-Hi HBM3E, à frente de seus concorrentes. Os novos módulos têm uma capacidade de 36GB e preparam o terreno para processadores de IA e HPC de próxima geração, como o Instinct MI325X da AMD, que deve ser lançado no quarto trimestre, e o Blackwell Ultra da Nvidia, que é esperado para o segundo semestre do próximo ano.
Os stacks 12-Hi 36GB HBM3E da SK hynix incluem doze camadas de DRAM de 3GB e possuem uma taxa de transferência de dados de 9.6 GT/s, proporcionando uma largura de banda máxima de 1.22 TB/s por módulo. Um subsistema de memória com oito desses stacks 12-Hi 36GB HBM3E da empresa oferecerá uma largura de banda máxima de 9.83 TB/s. Produtos reais provavelmente não usarão esses dispositivos de memória HBM3E em sua velocidade máxima, pois os desenvolvedores tendem a garantir a máxima confiabilidade. No entanto, não temos dúvidas de que os subsistemas de memória HBM3E oferecerão desempenho superior aos seus predecessores.
Apesar de conter 50% mais dispositivos de memória, os novos stacks de memória 12-Hi HBM3E possuem a mesma altura z que seus predecessores 8-Hi. Para conseguir isso, a SK hynix fez os dispositivos DRAM 40% mais finos. Além disso, para evitar problemas estruturais que surgem ao usar DRAMs empilhados verticalmente ultra-finos interconectados usando vias de silício (TSVs), o fabricante usou seu processo de preenchimento moldado por refluxo em massa (MR-MUF) que une os dies de uma só vez e preenche o espaço entre eles com um preenchimento melhorado chamado Composto de Moldagem de Epóxi Líquido. Como bônus, o EMC também tem melhor condutividade térmica.
A SK hynix é a primeira empresa a iniciar a produção em massa de memória 12-Hi HBM3E. Embora a Samsung tenha apresentado formalmente seus stacks 12-Hi 36GB HBM3E no início deste ano, ainda não começou a produção em massa desses produtos. A Micron está amostrando dispositivos 12-Hi HBM3E prontos para produção, mas ainda não iniciou a produção em grande volume desses stacks de memória.
A SK hynix planeja enviar seus stacks de memória 12-Hi 36GB HBM3E até o final do ano, a tempo para o acelerador Instinct MI325X da AMD para IA e HPC, que terá 244GB de memória HBM3E, e vários trimestres antes de a Nvidia começar a enviar seu GPU Blackwell Ultra para aplicações de IA e HPC.
“A SK hynix mais uma vez superou os limites tecnológicos, demonstrando nossa liderança na indústria de memória para IA,” disse Justin Kim, Presidente (Chefe de Infraestrutura de IA) da SK hynix. “Continuaremos nossa posição como o principal fornecedor global de memória para IA enquanto preparamos continuamente produtos de memória de próxima geração para superar os desafios da era da IA.”
Fonte: Tom’s Hardware

