A Samsung Foundry revelou seu novo roadmap para tecnologias de processos de fabricação de chips no Samsung Foundry Forum (SFF) nos EUA. Durante o fórum, a empresa delineou planos para nós de classe 2nm, um nó de classe 1.4nm e tecnologias de produção com entrega de energia traseira que estarão disponíveis para seus clientes nos próximos três anos.
Em 2025, a Samsung lançará seu nó SF2, anteriormente conhecido como SF3P, que demonstrou melhorias em potência, desempenho e área (PPA) que a empresa atribui às tecnologias de processo de classe 2nm. Este processo de fabricação é projetado principalmente para computação de alto desempenho e aplicações em smartphones, e, portanto, a Samsung deposita muitas esperanças nele. Além disso, ter um nó de classe 2nm em 2025 coloca formalmente a Samsung à frente da TSMC, que começará a fabricar chips em seu processo N2 apenas no final de 2025. No entanto, essa renomeação mais uma vez destaca que os nanômetros dificilmente importam hoje.
No ano seguinte, em 2026, a Samsung planeja introduzir o SF2P, uma versão aprimorada em desempenho do SF2 (poderíamos chamá-lo de SF3P+?). Este nó irá refinar ainda mais o SF2, apresentando transistores mais rápidos, mas menos densos, indicando uma mudança para melhorar a velocidade enquanto reduz um pouco a densidade, o que é uma troca normal na indústria.
Em 2027, a Samsung lançará o SF2Z, que incorporará a entrega de energia traseira, algo que permitirá melhorar o desempenho e aumentar a densidade dos transistores. Além disso, essa melhoria visa melhorar a qualidade da energia e gerenciar quedas de tensão (IR drop), abordando um desafio crítico na produção de chips avançados.
Também programado para 2027 está o nó SF1.4 da Samsung Foundry, marcando a entrada da empresa na classe de 1.4nm. Ao contrário do SF2Z, o SF1.4 não incluirá entrega de energia traseira, diferenciando a Samsung de seus pares da indústria Intel e TSMC, que introduzirão entrega de energia traseira com seus nós de classe 2nm (20A) e 1.6nm (A16). Não está claro por que a Samsung decidiu omitir a rede de entrega de energia traseira (BSPDN) com seu SF1.4, mas é possível que a empresa quisesse tornar este nó de produção um pouco mais econômico.
O roadmap da Samsung agora está mais ou menos alinhado com os padrões da indústria em relação às classificações de ‘nanômetro’. No entanto, a empresa ainda não divulgou benefícios específicos de desempenho e comparações com nós anteriores ou concorrentes como Intel Foundry e TSMC.
Além da introdução de seus nós de ponta, a Samsung também revelou seu SF4U, uma variante econômica de seus nós de classe 4nm que melhora potência, desempenho e área (PPA) através da redução óptica. A produção em massa do SF4U está prevista para 2025.
No geral, os anúncios da Samsung destacam os esforços contínuos da empresa para refinar e melhorar as tecnologias de processo de semicondutores a cada ano. A introdução de recursos como entrega de energia traseira e várias melhorias de desempenho promete tornar a Samsung Foundry competitiva com seus rivais nos próximos anos. No entanto, a falta de detalhes no anúncio levanta mais perguntas do que respostas.
