Micron Technology apresenta novos módulos de memória MRDIMM para servidores Intel Xeon 6
Micron Technology introduziu seus novos módulos de memória multiplexados rank dual inline (MRDIMMs) projetados para combinar alto desempenho, baixa latência, alta capacidade e consumo de energia previsível para as plataformas de servidor Intel Xeon 6 de próxima geração. À medida que o número de núcleos por soquete aumenta, os novos módulos serão particularmente úteis para garantir uma largura de banda de memória decente por núcleo, o que será valioso para aplicações de inteligência artificial (IA) e computação de alto desempenho (HPC).
MRDIMMs são módulos de memória de próxima geração padronizados pela JEDEC que essencialmente apresentam dois ranks DDR que operam em modo multiplexado para dobrar a velocidade. Para permitir tal operação, os módulos são equipados não apenas com mais dispositivos de memória, mas também com um chip MRCD que permite acesso simultâneo a ambos os ranks e chips MDB que possibilitam o muxing e demuxing. A CPU host interage com um módulo MRDIMM a uma taxa de transferência de dados de 8800 MT/s (para a primeira geração, a próxima geração deve atingir 12800 MT/s), mas todos os componentes no módulo funcionam a metade da taxa, permitindo latências mais apertadas e mantendo o consumo de energia do módulo sob controle.
(Image credit: Micron)
Latências mais baixas aumentam significativamente o desempenho real dos subsistemas de memória. A Micron e a Intel afirmam que um MRDIMM DDR5-8800 de 128 GB pode oferecer uma latência até 40% menor do que um RDIMM DDR5-6400 de 128 GB. Quanto ao consumo de energia, mantê-lo sob controle é importante para plataformas de servidor modernas, pois o consumo combinado dos módulos de memória pode ser comparável ou até maior do que o consumo de energia de algumas CPUs de servidor.
(Image credit: Micron)
“Os MRDIMMs da Micron oferecem a largura de banda e capacidade necessárias com menor latência para escalar aplicações de inferência de IA e HPC em plataformas de servidor de próxima geração,” disse Praveen Vaidyanathan, vice-presidente e gerente geral do Grupo de Produtos de Computação da Micron. “Os MRDIMMs reduzem significativamente a quantidade de energia usada por tarefa, oferecendo a mesma confiabilidade, disponibilidade e capacidades de serviço e interface que os RDIMMs, proporcionando aos clientes uma solução flexível que escala o desempenho. As colaborações estreitas da Micron com a indústria garantem integração perfeita nas infraestruturas de servidor existentes e transições suaves para plataformas de computação futuras.”
(Image credit: Micron)
A Micron planeja oferecer uma linha abrangente de MRDIMMs DDR5-8000 e DDR5-8800 em formatos padrão e alto (TFF) baseados em dispositivos DRAM DDR5 de 16 Gb, 24 Gb e 32 Gb fabricados com sua tecnologia comprovada de 1β. Os MRDIMMs de altura padrão estarão disponíveis em densidades de 32 GB, 64 GB, 96 GB, 128 GB e 256 GB sem usar dispositivos DRAM empilhados em 3D, o que significa maior desempenho, menor consumo de energia e custos mais baixos. Os MRDIMMs TFF com uma altura de 56,9 mm, destinados a servidores acima de 1U, estarão disponíveis em capacidades de 128 GB e 128 GB.
Os MRDIMMs de formato alto têm uma área de superfície maior em comparação com os módulos de tamanho padrão, o que, para o mesmo fluxo de ar, resulta em uma temperatura 24% mais baixa. Este design reduz a probabilidade de throttling térmico e aumenta a eficiência energética, tornando-os particularmente adequados para máquinas de IA e HPC.
Os próximos MRDIMMs da Micron e outros fornecedores (incluindo fabricantes de primeira linha como Samsung e SK Hynix e fornecedores de terceiros como Adata) serão compatíveis com as plataformas Xeon 6 da Intel. No lado do software, os MRDIMMs DDR5 não exigem desenvolvimento ou ajuste de software, embora grandes OEMs de servidores como Dell, HPE e Lenovo devam realizar testes abrangentes para garantir compatibilidade e desempenho estável em centenas de cargas de trabalho.
Os MRDIMMs da Micron estão atualmente em amostragem e espera-se que sejam enviados em volume na segunda metade de 2024. As gerações subsequentes prometem desempenho ainda maior, com até 45% melhor largura de banda de memória por canal – a 12800 MT/s – em comparação com os RDIMMs atuais a 6400 MT/s.
Source: Tom’s Hardware